星辰在半导体领域已经深耕了许久，其技术积累早已非常深厚，涵盖了多个方面。

与后来夏国在芯片领域遭遇制裁后，所面临的如何绕过国外技术专利的困境不同，如今的最前沿技术几乎都握在星辰手里。

在芯片制造工艺上，星辰公司早已走在了行业的前列。

想要达到快速研发7纳米工艺这一目标，其中的捷径道路公司早已掌握，那就是多重曝光技术。

这种技术能够充分利用已有的光刻设备，通过多次曝光和叠加的方式，实现更精细的电路图案制作。

制程的缩小实质上就是晶体管尺寸的减小，这同时也意味着量子效应开始逐渐显现。

当芯片尺寸缩小到几十纳米以下时，量子效应就开始对芯片的性能产生影响。

在28纳米以上的制程中，这种效应虽然存在，但还不是特别明显。

然而随着尺寸的进一步缩小，量子效应的影响就变得越来越显着，对芯片的性能和稳定性都提出了更高的挑战。

孟玉竹等人之所以卡在突破14纳米工艺前的最后一关，原因也在于此。

江辰的完善正是针对量子效应问题，在设计器件结构上减少问题的出现。

但接下来芯片尺寸的进一步缩小，量子效应会更加明显，成为了整个团队需要解决的头号问题。

会议上，孟玉竹正向成员们详细阐述着当前面临的技术难题

“大家应该也清楚我们之前遇到的难题量子隧穿效应。

这种效应发生在电子在极其微小的区域中运动时，它们的行为会变得异常诡异。

电子在这种情况下会违反经典力学，有可能穿入或穿越原本看似不可逾越的势垒，直接从一个区域跳跃到另一个区域。”

她接着说道

“董事长之前提出了一系列改动，就是优化器件的结构设计，以期降低电子隧穿的概率，这在14纳米工艺当中很适用。

不过在研发7纳米工艺节点下，这种方法的有效性我也不确定。”

“除了优化器件结构这一途径外，我们还考虑过其他常规手段。比如使用屏蔽层来隔离电子或者引入绝缘材料来限制电子的隧穿行为。”

很快就有成员提出了另一种解决办法。

但所有人心里都清楚，这些方法都只能在一定程度上起到限制和减少隧穿效应的作用。